| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PSMN028-100YS,115 |
SC-100，SOT-669，4-LFPAK | NXP Semiconductors | 3168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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PSMN028-100YS,115参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK 包装数量：1500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：42A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：27.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1634pF @ 50V 功率 - 最大值：89W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： AC DC 转换器XLN10014 DC DC ConVE-20W-CX-F3 矩形M3GGK-1018R 键锁式Y1011U2V203NQ 圆形CA3100E28-16SBF80A176-05 Card EdgeGCC08DRYI LED- 高亮度电CST-90-W57S-C12-GM200 薄膜电容器ECW-F2185HAQ 芯片电阻 - 表面MCR25JZHJ751 芯片电阻 - 表面230619955132 |
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